Мэдээ

Цахилгаан эрчим хүчний хэрэглээнд ашиглагддаг ихэнх MOSFET нь SO8FL, u8FL, LFPAK зэрэг багцуудыг багтаасан гадаргуугийн бэхэлгээний төхөөрөмжүүд (SMD) юм. Эдгээр SMD-үүдийг ихэвчлэн сонгодог шалтгаан нь тэдгээр нь сайн цахилгаан багтаамжтай, жижиг хэмжээтэй тул илүү авсаархан шийдлүүдийг бий болгоход тусалдаг. Эдгээр төхөөрөмжүүд нь сайн цахилгаан багтаамжтай боловч заримдаа дулаан ялгаруулах нөлөө нь тийм ч тохиромжтой биш байдаг.

Хэлхээний топологи гэдэг нь хэлхээний цахилгаан төхөөрөмжүүд болон цахилгаан соронзон бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн хоорондох холболтыг хэлдэг бол соронзон бүрэлдэхүүн хэсгүүд, хаалттай гогцооны нөхөн олговрын хэлхээ болон бусад бүх хэлхээний бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн дизайн нь тухайн топологиос хамаарна. Хамгийн үндсэн топологиуд нь Buck, Boost, Buck/Boost, нэг төгсгөлтэй flyback (тусгаарлагдсан flyback), урагш, түлхэх-татах, хагас гүүр болон бүтэн гүүр хөрвүүлэгчид юм.

SiC-ийг өндөр давтамжийн төхөөрөмжүүдийн SBD (Шотткийн саадны диод) бүтэц дэх 600В-оос дээш өндөр хүчдэлийн диодуудыг авахад ашиглаж болно (Si-ийн SBD-ийн хамгийн өндөр хүчдэлийн тэсвэрлэлт нь 200В орчим байдаг).